[发明专利]电调谐二氧化钒相变中红外调制器及中红外无线通讯系统有效
| 申请号： | 201710890276.5 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107765452B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 刘志军;李昊阳;吴志明;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 夏艳 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光电子技术领域，公开了一种电调谐二氧化钒相变中红外调制器及中红外无线通讯系统，为多层膜结构，以二氧化钒作为电控相变材料；多层膜结构中最下层为铜层，最上层为金插指电极和接受天线，二氧化钒层在中红外调制器的中部，二氧化钒层与铜层之间为二氧化硅层。本发明在2.4伏特激励电压下，实现了对25.5THz中红外光反射率的调制，调制深度为30％；同时实现了对共振频率的调制，调制范围为3.5％。本发明的中红外调制器为层状结构，基于工艺成熟的氧化钒材料，制作简单、成本低，在较低的工作电压下即实现了对中红外光的调制，对于推进其实用化具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 调谐 氧化 相变 红外 调制器 无线通讯 系统 | ||
【主权项】：
1.一种电调谐二氧化钒相变中红外调制器，其特征在于，所述电调谐二氧化钒相变中红外调制器为多层膜结构，以二氧化钒作为电控相变材料；/n所述多层膜结构中最下层为铜层，最上层为金插指电极和接受天线，二氧化钒层在中红外调制器的中部，二氧化钒层与铜层之间为二氧化硅层；/n所述铜层厚度为300nm；所述二氧化硅层厚度为100nm；所述二氧化钒层厚度为250nm；所述金叉指电极厚度为150nm；/n所述金叉指电极的金属条阵列的金属条宽度2.5μm、金属条长度3.8mm、相邻金属条间距4.5μm、整体阵列大小4.0mm×4.0mm。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710890276.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：透明导电膜及其制备方法和光传输控制装置及其制备方法
- 下一篇：压接装置
