[发明专利]一种磁通超导探测器及制备方法以及探测方法

摘要

本发明提供一种磁通超导探测器及制备方法以及超导探测方法，制备方法包括：提供衬底，于衬底表面形成第一超导材料层；于第一超导材料层表面形成图形化的光刻胶层；刻蚀掉预设区域的第一超导材料层，保留剩余光刻胶层；于得到结构的正面及侧面覆盖一层绝缘材料层；于绝缘材料层表面形成第二超导材料层，且与第一超导材料层上表面相平齐；得到第一超导材料层和第二超导材料层中被植入至少一条绝缘夹层的结构；于上述结构表面形成超导纳米桥结。通过上述方案，本发明的磁通超导探测器的有效探测尺寸做的更小，最小可测磁矩小，提高了磁矩灵敏度及空间分别率，减小器件对背景磁场的影响，可在第一个磁通偏置内，依据临界电流获得磁通变化信息。

主权项

1.一种磁通超导探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一衬底，并于所述衬底上表面形成第一超导材料层；2)于所述第一超导材料层上表面形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，以暴露出预设区域的所述第一超导材料层；3)刻蚀掉所述预设区域的第一超导材料层，暴露出所述衬底，并保留剩余光刻胶层；4)于步骤3)所得到结构的正面及侧面覆盖一层绝缘材料层；5)至少于所述预设区域对应的所述绝缘材料层上表面形成第二超导材料层，且所述预设区域对应的所述第二超导材料层的上表面与所述第一超导材料层的上表面相平齐；6)去掉所述第一超导材料层上表面所在平面以上的结构，得到所述第一超导材料层和所述第二超导材料层中被植入至少一条绝缘夹层的平面超导结构；7)于所述平面超导结构上表面形成至少一个超导纳米桥结，所述超导纳米桥结连接所述第一超导材料层和所述第二超导材料层，且包括横跨所述绝缘夹层的桥结区以及连接于所述桥结区两端的辅助区，以得到磁通超导探测器。