[发明专利]一种阵列基板和阵列基板的制造方法在审
| 申请号: | 201710874626.9 | 申请日: | 2017-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN107863353A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
| 发明(设计)人: | 卓恩宗;杨凤云 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)44240 | 代理人: | 王丽 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种阵列基板和阵列基板的制造方法,该制造方法包括步骤形成开关组件;同时,在栅极绝缘层延伸部的上方蚀刻得到第二非晶硅层、第二N型非晶硅层和光传感金属,以形成光传感器;在所述源极金属、漏极金属和光传感金属的上方形成光传感层和钝化层;通过第二道光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层,以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层。本发明的光传感下金属层、源极金属和漏极金属是通过同一道光罩制程形成的,节约了光罩制程,提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:在基板上形成栅极金属,并在栅极金属上方形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层的上方依次形成非晶硅层、N型非晶硅层和金属层;在金属层的上方形成光阻层,通过第一道光罩形成位于所述栅极金属上方的第一非晶硅层、第一N型非晶硅层以及相对设置的源极金属和漏极金属,以形成开关组件;同时,在栅极绝缘层延伸部上蚀刻得到第二非晶硅层、第二N型非晶硅层和光传感金属,以形成光传感器;在所述源极金属、漏极金属和光传感金属的上方形成光传感层和钝化层;通过第二道光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层,以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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