[发明专利]一种阵列基板和阵列基板的制造方法在审

专利信息
申请号: 201710874626.9 申请日: 2017-09-25
公开(公告)号: CN107863353A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 卓恩宗;杨凤云 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)44240 代理人: 王丽
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种阵列基板和阵列基板的制造方法,该制造方法包括步骤形成开关组件;同时,在栅极绝缘层延伸部的上方蚀刻得到第二非晶硅层、第二N型非晶硅层和光传感金属,以形成光传感器;在所述源极金属、漏极金属和光传感金属的上方形成光传感层和钝化层;通过第二道光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层,以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层。本发明的光传感下金属层、源极金属和漏极金属是通过同一道光罩制程形成的,节约了光罩制程,提高了生产效率。
搜索关键词: 一种 阵列 制造 方法
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:在基板上形成栅极金属,并在栅极金属上方形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层的上方依次形成非晶硅层、N型非晶硅层和金属层;在金属层的上方形成光阻层,通过第一道光罩形成位于所述栅极金属上方的第一非晶硅层、第一N型非晶硅层以及相对设置的源极金属和漏极金属,以形成开关组件;同时,在栅极绝缘层延伸部上蚀刻得到第二非晶硅层、第二N型非晶硅层和光传感金属,以形成光传感器;在所述源极金属、漏极金属和光传感金属的上方形成光传感层和钝化层;通过第二道光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层,以及形成位于光传感金属上方的第二光传感层和第二钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司,未经惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710874626.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top