[发明专利]制作垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的方法

摘要

本发明提供一种垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的制作方法，包括步骤：提供一{100}半导体衬底，在该衬底上制备成对凹槽；采用各向异性腐蚀法腐蚀成对凹槽内衬底材料，槽侧壁形成似锯齿型结构；在凹槽底部制作与其窗口中心对准的新凹槽，再各向异性腐蚀得到新的似锯齿型结构；采用高温氧化技术在成对槽之间的壁上形成被被包裹在被氧化的半导体璧中的垂直堆叠集成的半导体纳米线；最后在该半导体纳米线两端和中间制作源、漏、栅极，形成场效应晶体管。本发明工艺过程简单，仅需采用普通光刻技术等常规MEMS工艺，设备参数设计具有一般性，成本低廉，只需根据目标刻蚀深度控制刻蚀时间即可，可控性高，易于实现。

主权项

一种垂直堆叠集成的半导体纳米线的制作方法，其特征在于，包括：S1：提供一{100}半导体材料衬底，在所述衬底上制备成对排列的凹槽的阵列；所述凹槽的底面的低指数晶面为{100}面，四个侧面的低指数晶面为{110}晶面；S2：对凹槽内的半导体材料进行各向异性腐蚀，在凹槽的侧壁和成对的凹槽之间的半导体材料璧上对称地形成似锯齿型结构；S3：在所述凹槽的底部制作与其窗口中心对准的新的凹槽；S4：重复步骤S2；S5：得到多个垂直堆叠排列的似锯齿型结构；S6：对S5所述似锯齿型结构,采用高温氧化技术在成对槽之间的壁上形成被包裹在被氧化的半导体璧中的垂直堆叠的单晶半导体纳米线。