[发明专利]由静态随机存取存储器组成的存储器元件的布局图案有效
| 申请号： | 201710864858.6 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109545251B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 曾俊砚;龙镜丞;郭有策;黄俊宪;陈建宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C11/417;G11C8/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种由静态随机存取存储器(static random‑access memory，SRAM)组成的存储器元件的布局图案，包含四个存储单元位于一基底上，各存储单元分别位于一非矩形区内，且该四个非矩形区共组成一个矩形区，其中各存储单元包含一第一反相器包含有一第一上拉晶体管(PL1)以及一第一下拉晶体管(PD1)，一第二反相器包含有一第二上拉晶体管(PL2)以及一第二下拉晶体管(PD2)，一存取晶体管(PG)以及一切换晶体管(SW)，其中该PG的一漏极与该第一反相器的一输入端以及该SW的一漏极相连，该SW的一源极与该第二反相器的一输出端相连，其中该PD1、该PD2、该SW以及该PG共同包含有一相同的第一扩散区，且该PL1与该PL2共同包含有一相同的第二扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 组成 存储器 元件 布局 图案 | ||
【主权项】：
1.一种由静态随机存取存储器(static random‑access memory，SRAM)组成的存储器元件的布局图案，包含：四个存储单元，位于一基底上，各存储单元分别位于一非矩形区内，且该四个非矩形区共组成一个矩形区，其中各存储单元包含：第一反相器，包含有一第一上拉晶体管(PL1)以及一第一下拉晶体管(PD1)；第二反相器，包含有一第二上拉晶体管(PL2)以及一第二下拉晶体管(PD2)；存取晶体管(PG)以及切换晶体管(SW)，其中该PG的一源极与该第一反相器的一输入端以及该SW的一漏极相连，该SW的一源极与该第二反相器的一输出端相连，其中该PD1、该PD2、该SW以及该PG共同包含有一相同的第一扩散区，且该PL1与该PL2共同包含有一相同的第二扩散区。
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