[发明专利]基于酶水解能力的基片表面HP DNA发卡构型的定量评测及背景信号消除方法有效

专利信息
申请号: 201710863056.3 申请日: 2017-09-22
公开(公告)号: CN108195919B 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 李运超;高晓怡;王杏林 申请(专利权)人: 北京师范大学
主分类号: G01N27/48 分类号: G01N27/48
代理公司: 11318 北京法思腾知识产权代理有限公司 代理人: 高宇
地址: 100875 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及DNA自组装膜技术领域,具体涉及一种基于酶水解能力的基片表面HP DNA发卡构型的定量评测及消除背景信号的方法。具体步骤包括:通过高温变性去除二聚体;将基片浸入酶量为100U~300U的核酸外切酶I缓冲液中水解;利用电量积分技术确定电极表面HP DNA发卡构型的比例。本发明基于核酸外切酶I对ssDNA和HP DNA发卡构型水解能力的差异,结合电化学方法定量评测基片表面HP DNA发卡构型的比例。此外,核酸外切酶I的使用还可有效消除由非发卡构型引起的背景信号,从而极大的提高Hairpin DNA基生物传感器的检测灵敏度。
搜索关键词: 构型 发卡 核酸外切酶I 评测 背景信号 基片表面 酶水解 水解 检测灵敏度 生物传感器 电化学 浸入 电极表面 高温变性 积分技术 自组装膜 二聚体 缓冲液 用电量 酶量 去除
【主权项】:
1.一种基于酶水解能力的基片表面HP DNA发卡构型的电化学定量评测方法,其特征在于,所述基片表面的DNA自组装膜同时含有HP DNA发夹构型和ssDNA直链卷曲构型,所述HPDNA发卡构型的发夹部分≥6碱基对,/n所述方法包括以下步骤:/n(1)利用高温变性处理去除基片表面的二聚体;/n(2)将基片浸入酶量为100U~300U的核酸外切酶I缓冲液中,于25~37℃水解;/n(3)利用电量积分技术确定基片表面HP DNA发卡构型的比例。/n
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