[发明专利]半导体晶片和半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201710859278.8 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107919382B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 柴田裕司;伊藤达哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王兆阳;苏卉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体晶片和半导体元件的制造方法，半导体晶片沿着外周面具有厚壁区域，该厚壁区域具有比中央区域厚的厚度。半导体晶片的一侧的主表面具有倾斜面，该倾斜面位于中央区域与厚壁区域之间。倾斜面具有位于中央区域侧的内周缘和位于厚壁区域侧的外周缘，且以半导体晶片的厚度随着从内周缘靠近外周缘而增大的方式倾斜。倾斜面具有内周部分、外周部分和中间部分，该内周部分包括内周缘，该外周部分包括外周缘，该中间部分位于内周部分与外周部分之间。并且，外周部分和内周部分中的至少一方的倾斜角度小于中间部分的倾斜角度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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