[发明专利]一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法

摘要

本发明提供了一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，提供在两层金属之间进行磁性随机存储器件及其周围逻辑电路的制作工艺和对准方式。在存储区域，采用在金属连线上依次制作底电极通孔、底电极接触、磁性隧道结结构单元和顶电极通孔，并依次对齐；在逻辑电路区域，则采用顶电极通孔和底电极接触直接相连接的方式实现，顶电极通孔、底电极接触、底电极通孔依次对齐；最后，在顶电极通孔上制作一层金属连线以实现磁性随机存储器逻辑区域和存储区域之间的连接。由于在磁性隧道结单元阵列下面，增加了一层底电极接触，有效的隔断了CMOS后段铜和磁性隧道结阵列底部的直接连接，有利于器件电学性能和良率的提升。

主权项

1.一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在所述基底上制作底电极通孔，然后在所述底电极通孔中填充金属；步骤2：在所述底电极通孔上制作底电极接触；步骤3：在所述底电极接触上制作磁性隧道结结构单元；步骤4：在所述磁性隧道结结构单元上制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属连线。