[发明专利]一种新型的异质结太阳电池在审
申请号: | 201710857818.9 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107425088A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 杨恢东;张翠媛;宋香荣;夏锦辉;王菁;陈玉玲;彭炳荣;李俊魁 | 申请(专利权)人: | 暨南大学;暨南大学韶关研究院 |
主分类号: | H01L31/077 | 分类号: | H01L31/077;H01L31/0336 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 陈燕娴,林梅繁 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型的异质结太阳电池,包括背电极层、位于背电极层之上的P层、位于P层之上的窗口层,所述窗口层为掺杂了Al的ZnO薄膜;掺杂了Al的ZnO薄膜与P层形成PN结。本发明将透明导电氧化层与N型窗口层合二为一,形成NIP型异质结太阳电池,通过在单晶硅上用不同带隙的材料制备而成异质结,提高了太阳电池的效率,增加了太阳能的利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 异质结 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种新型的异质结太阳电池,包括背电极层、位于背电极层之上的P层、位于P层之上的窗口层,其特征在于,所述窗口层为掺杂了Al的ZnO薄膜;掺杂了Al的ZnO薄膜与P层形成PN结。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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