[发明专利]一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法

摘要

本发明公开了一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，包括以下步骤首先利用常规的MOCVD制备AlGaInP LED外延材料，然后利用金属蒸发、光刻、腐蚀、键合、合金这些常规的管芯制备工艺将外延材料转移到键合基板上，制备N面出光的AlGaInP薄膜LED芯片；在切割分离AlGaInP薄膜LED芯片之前，利用光刻工艺对切割道以外的区域用光刻胶保护，然后将将待切割的AlGaInP薄膜LED芯片放入碘酸水溶液、盐酸和水配制的切割道腐蚀液中，把切割道对应区域的外延材料腐蚀掉，制备出切割道，最后用激光切割机或砂轮切割机沿切割道中心线将AlGaInP薄膜LED芯片分离。本发明具有很好的稳定性和一致性，且切割道腐蚀液不含剧毒的单质溴元素，有利于工艺人员身体健康和环境保护。

主权项

一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，包括以下步骤：首先利用常规MOCVD制备AlGaInP LED外延材料，然后利用金属蒸发、光刻、腐蚀、键合、合金这些常规的管芯制备工艺将外延材料转移到键合基板上，制备出N面出光的AlGaInP薄膜LED芯片，在切割分离AlGaInP薄膜LED芯片之前，利用常规光刻工艺在切割道以外的区域用光刻胶保护，其特征在于：将待切割的AlGaInP薄膜LED芯片放入切割道腐蚀液中，把切割道对应区域的外延材料腐蚀掉，制备出切割道，最后用激光切割机或砂轮切割机沿切割道中心线将芯片分离，得到成品。