[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括第一电压器件区、第二电压器件区以及第一电压器件区与第二电压器件区共有的深阱。第二电压器件区中的电子器件的工作电压高于第一电压器件区中的电子器件的工作电压。深阱具有第一导电类型。第一电压器件区包括具有第二导电类型的第一阱和具有第一导电类型的第二阱。第二电压器件区包括具有第二导电类型的第三阱和具有第一导电类型的第四阱。在第四阱下方形成具有第二导电类型的第二深阱。第一阱、第二阱和第三阱与第一深阱接触，并且通过第二深阱将第四阱与第一深阱分离。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括第一电压器件区和第二电压器件区，其中，所述第二电压器件区中的电子器件的工作电压高于所述第一电压器件区中的电子器件的工作电压，所述方法包括：通过第一离子注入使用第一抗蚀剂掩模，在衬底的所述第一电压器件区和所述第二电压器件区中形成具有第一导电类型的第一深阱；通过第二离子注入使用第二抗蚀剂掩模，在所述第一电压器件区中形成具有第二导电类型的第一阱；通过第三离子注入使用第三抗蚀剂掩模，在所述第一电压器件区中形成具有所述第一导电类型的第二阱；通过第四离子注入使用第四抗蚀剂掩模，在所述第二电压器件区中形成具有所述第二导电类型的第三阱；通过第五离子注入使用第五抗蚀剂掩模，在第四阱下方且在所述第一深阱中形成具有所述第二导电类型的第二深阱，以及通过第六离子注入，在所述第二电压器件区中形成具有所述第一导电类型的所述第四阱。