[发明专利]一种锁相环低噪声源端开关电荷泵在审
申请号: | 201710831632.6 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN107634758A | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 王慧;项骏;赵庆中;刘寅 | 申请(专利权)人: | 北京华大九天软件有限公司 |
主分类号: | H03L7/089 | 分类号: | H03L7/089 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司11467 | 代理人: | 王金双 |
地址: | 100102 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种锁相环低噪声源端开关电荷泵,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一电流源、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管,第一NMOS管、第二NMOS管、第二电流源、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管,其中,第五PMOS管的栅端接收第一脉冲信号,源端、漏端短接并与第三PMOS管的漏端相连;第六PMOS管的栅端接收第一脉冲信号,源端接收1/2倍电源电压,漏端与第三PMOS管的漏端相连;第五NMOS管的栅端接收第二脉冲信号的反相脉冲,源端、漏端短接并与第三NMOS管的漏端相连。本发明的锁相环低噪声源端开关电荷泵,可以适用于低压应用,并且能够抵消由于开关管的电荷分享产生的噪声。 | ||
搜索关键词: | 一种 锁相环低 噪声 开关 电荷 | ||
【主权项】:
一种锁相环低噪声源端开关电荷泵,其特征在于,包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第一电流源、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管,第一NMOS管、第二NMOS管、第二电流源、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管,其中,所述第五PMOS管的栅端接收第一脉冲信号,源端、漏端短接并与所述第三PMOS管的漏端相连;所述第六PMOS管,其栅端接收所述第一脉冲信号,其源端接收1/2倍电源电压,其漏端与所述第三PMOS管的漏端相连;所述第五NMOS管,其栅端接收第二脉冲信号的反相脉冲,其源端和漏端短接,并与所述第三NMOS管的漏端相连。
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