[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710831485.2 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108231887B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 金俸彻;李炯锡;韩银洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件。衬底包括图案形成区域和外围区域。第一应变松弛缓冲层设置在衬底的图案形成区域上。第二应变松弛缓冲层设置在衬底的外围区域上。第一绝缘膜图案设置在衬底上。第一绝缘膜图案的至少一部分设置在第一应变松弛缓冲层内。第一绝缘膜图案的上表面由第一应变松弛缓冲层覆盖。第二绝缘膜图案设置在衬底上。第二绝缘膜图案的至少一部分设置在第二应变松弛缓冲层内。第二绝缘膜图案的上表面由第二应变松弛缓冲层覆盖。栅电极设置在第一应变松弛缓冲层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括图案形成区域和外围区域的衬底；在所述衬底的所述图案形成区域上的第一应变松弛缓冲层；在所述衬底的所述外围区域上的第二应变松弛缓冲层；在所述衬底上的第一绝缘膜图案，所述第一绝缘膜图案的至少一部分设置在所述第一应变松弛缓冲层内，且所述第一绝缘膜图案的上表面以所述第一应变松弛缓冲层覆盖；在所述衬底上的第二绝缘膜图案，所述第二绝缘膜图案的至少一部分设置在所述第二应变松弛缓冲层内，所述第二绝缘膜图案的上表面以所述第二应变松弛缓冲层覆盖；以及所述第一应变松弛缓冲层上的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710831485.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造半导体器件的方法以及半导体器件
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
