[发明专利]一种太阳能电池片的低压氧化工艺有效
| 申请号： | 201710829538.7 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107681018B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 赵颖;郭望东;贾松燕;任永伟;董方 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池片的低压氧化工艺，主要步骤包括：预处理、反应准备、氧化反应、降温退火和退舟。本发明于低压、温度低于800℃的环境下的低压氧化工艺生成的二氧化硅膜使得少数载流子的寿命得以提高，最终提高电池的短路电流和开路电压，从而改善光电转换效率，低压扩散炉与常压扩散炉相比具有压强小、气流稳定等特点，使得生成的二氧化硅膜结构更致密，更均匀，制备的二氧化硅膜具有较好的抗PID性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 低压 氧化 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
