[发明专利]具有软关断特性的FS型IGBT器件在审
| 申请号： | 201710827889.4 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107403834A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 金锐;杨晓鸾;许生根;姜梅;董少华;崔磊 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;江苏中科君芯科技有限公司;国家电网公司;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有软关断特性的FS型IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述具有软关断特性的FS型IGBT器件，包括第一导电类型衬底以及位于第一导电类型衬底背面的第一导电类型场截止层，在第一导电类型衬底的正面设置IGBT正面元胞；在第一导电类型场截止层上设置第二导电类型集电区；在第一导电类型衬底内设置用于在关断时能增加载流子数量的高电离率区域，高电离率区域的导电类型呈第一导电类型，所述高电离率区域位于第一导电类型衬底内的下部且高电离率区域靠近第二导电类型集电区。本发明结构紧凑，使得FS型IGBT器件具有软关断特性，在高压大功率工作时可有效降低EMI震荡，提高使用的稳定性以及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 软关断 特性 fs igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种具有软关断特性的FS型IGBT器件，包括第一导电类型衬底以及位于第一导电类型衬底背面的第一导电类型场截止层，在第一导电类型衬底的正面设置IGBT正面元胞；在第一导电类型场截止层上设置第二导电类型集电区；其特征是：在第一导电类型衬底内设置用于在关断时能增加载流子数量的高电离率区域，高电离率区域的导电类型呈第一导电类型，所述高电离率区域位于第一导电类型衬底内的下部且高电离率区域靠近第二导电类型集电区。
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