[发明专利]一种高纯二氧化碲及其制备方法有效
| 申请号： | 201710824711.4 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107640749B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 段威;李宗雨;朱涛;周大华 | 申请（专利权）人： | 成都汉普高新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 涂琪顺 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯二氧化碲及其制备方法，属于金属及其氧化物的制备技术领域。本发明将粗碲提纯为高纯碲，并将熔融的高纯碲移送到密闭的反应炉内进行氧化反应制得二氧化碲，本发明工艺简，设备投资少，加工成本低，产品质量稳定且环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氧化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯二氧化碲的制备方法，其特征在于，包括：(1)将碲锭破碎后置于蒸馏炉中并在真空度为10－5￣10－4Pa的条件下加热蒸馏，制得纯碲；加热方法为：将所述蒸馏炉至下而上分成高、中、低三个加热区进行分区段加热；其中，高温区段对应加热所述蒸馏炉的下部，并且所述高温区段的加热温度为550－600℃；中温区段对应加热所述蒸馏炉的中部，并且所述中温区段的加热温度为300－350℃；低温区段对应加热所述蒸馏炉的上部，并且所述低温区段的加热温度为200－250℃；(2)将制得的所述纯碲置于反应炉中并在纯氧气氛下加热反应，制得二氧化碲；加热方法为：将所述反应炉分成上、下两个加热区进行分区段加热，上部温区的加热温度为400－500℃，下部温区的加热温度为800－1000℃。
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