[发明专利]一种基于同轴TSV的太赫兹腔体带通滤波器在审
| 申请号： | 201710823220.8 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107634295A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 梁磊 | 申请（专利权）人： | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/205 | 分类号： | H01P1/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于同轴TSV的太赫兹腔体带通滤波器，包括硅衬底、在硅衬底上设置的同轴TSV滤波器结构，同轴TSV滤波器结构包括输入耦合单元、输出耦合单元以及在输入耦合单元、输出耦合单元之间的同轴TSV谐振腔体，同轴TSV谐振腔体包括多个同轴TSV腔体单元以及用于耦合相邻TSV腔体单元的耦合缝隙，其中，输入信号通过输入耦合单元耦合到同轴TSV谐振腔体中产生谐振后，经过输出耦合单元耦合输出。通过采用芯片垂直互连同轴TSV结构，利用三维集成微加工技术，节省了布线面积，提高了布线利用率，与现有技术很好的兼容，便于与真空微电子器件连接，提高了与基板以及其它功能元件的集成度，降低了开发新工艺的成本与难度，极大缩短了研发新材料的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 同轴 tsv 赫兹 带通滤波器 | ||
【主权项】：
一种基于同轴TSV的太赫兹腔体带通滤波器，其特征在于，包括硅衬底、在所述硅衬底上设置的同轴TSV滤波器结构，所述同轴TSV滤波器结构包括输入耦合单元、输出耦合单元以及在所述输入耦合单元、所述输出耦合单元之间的同轴TSV谐振腔体，所述同轴TSV谐振腔体包括多个同轴TSV腔体单元以及用于耦合相邻所述TSV腔体单元的耦合缝隙，其中，输入信号通过所述输入耦合单元耦合到所述同轴TSV谐振腔体中产生谐振后，经过所述输出耦合单元耦合输出。
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