[发明专利]N型SiC欧姆接触电极的制作方法有效
| 申请号： | 201710823143.6 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107578989B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 谭永亮;刘佳佳;梁东升;刘相伍;张力江;崔玉兴 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 柳萌 |
| 地址： | 101300 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型SiC欧姆接触电极的制作方法，涉及欧姆电极的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在N型SiC圆片的上表面欧姆接触电极区进行光刻，制作欧姆接触电极的掩膜；在具有掩膜的SiC圆片的上表面依次沉积Ni层、Ti层以及Pt层，沉积结束后进行剥离工艺，去除多余的金属；在惰性气氛中进行快速热退火处理，在所述N型SiC圆片的上表面形成欧姆接触电极。所述方法使用Ni/Ti/Pt多层金属并经过退火后形成欧姆接触电极，形成的欧姆接触电极的表面形貌平整，无C颗粒析出，并且能够与N型SiC形成较好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | sic 欧姆 接触 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种N型SiC欧姆接触电极的制作方法，其特征在于包括如下步骤：在N型SiC圆片（1）的上表面欧姆接触电极区进行光刻，制作欧姆接触电极的掩膜（3）；在具有掩膜（3）的SiC圆片（1）的上表面依次沉积Ni层、Ti层以及Pt层，沉积结束后进行剥离工艺，去除多余的金属；在惰性气氛中进行快速热退火处理，在所述N型SiC圆片（1）的上表面形成欧姆接触电极（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
