[发明专利]包括冗余列和冗余外围逻辑电路的存储器器件有效
| 申请号： | 201710821332.X | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107818811B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 金勋起;金龙浩;朴昌男;宋泰中;林优镇;郑钟勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G06F11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器器件，包括：包括布置在包括正常列和用于修复所述正常列的冗余列的多个列中的多个存储器单元的存储器单元阵列，包括正常外围逻辑电路和用于修复所述正常外围逻辑电路的冗余外围逻辑电路的多个外围逻辑电路，以及被配置为基于所述多个列中的至少一个的缺陷或所述多个外围逻辑电路中的至少一个的缺陷中的至少一个缺陷，在所述多个列和所述多个外围逻辑电路之间形成第一路径的第一路径选择逻辑。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 冗余 外围 逻辑电路 存储器 器件 | ||
【主权项】：
一种存储器器件，包括：存储器单元阵列，包括布置在包括正常列和用于修复所述正常列的冗余列的多个列中的多个存储器单元；多个外围逻辑电路，包括正常外围逻辑电路和用于修复所述正常外围逻辑电路的冗余外围逻辑电路；以及第一路径选择逻辑电路，被配置为基于来自所述多个列的至少一个中的缺陷或所述多个外围逻辑电路的至少一个中的缺陷中的至少一个缺陷，形成所述多个列和所述多个外围逻辑电路之间的第一路径。
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