[发明专利]一种高亮度酸腐蚀硅片的制备方法

摘要

本发明公开了一种高亮度酸腐蚀硅片的制备方法。该方法包括研磨工艺和酸腐蚀工艺，先采用粗粒径的白刚玉进行首次研磨，研磨液质量比为水白刚玉助磨剂=210.2；再采用细粒径的白刚玉进行二次研磨，研磨液质量比为水白刚玉助磨剂=2(1.5~2)0.2；酸腐蚀液体积比为硝酸氢氟酸冰乙酸=5(2‑2.5)(1‑2)。首次研磨采用白刚玉粒径为7.0μm‑10.0μm，二次研磨采用白刚玉粒径为3.5μm‑6.5μm。两次研磨后硅片的表面粗糙度为150‑200nm，酸腐蚀去除量为50‑80μm，酸腐蚀后硅片的表面粗糙度为40‑80nm。本方法简单、易于操作，可有效减小硅片酸腐蚀去除量。

主权项

一种高亮度酸腐蚀硅片的制备方法，其特征在于：该方法包括研磨工艺和酸腐蚀工艺，其中研磨工艺采取两次研磨，先采用粗粒径的白刚玉进行首次研磨，研磨液质量比为水：白刚玉：助磨剂=2:1:0.2；之后再采用细粒径的白刚玉进行二次研磨，研磨液质量比为水：白刚玉：助磨剂=2:(1.5~2):0.2；两次研磨工艺完成后进行酸腐蚀，酸腐蚀液体积比为硝酸：氢氟酸：冰乙酸=5:(2‑2.5):(1‑2)。