[发明专利]一种钨化学机械平坦化的后清洗方法及晶圆有效
申请号: | 201710811339.3 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN107546110B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 张康;李婷;孙铭泽 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/538 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 李丙林 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种钨化学机械平坦化的后清洗方法及晶圆,本发明钨化学机械平坦化的后清洗方法工艺简单,采用特定分步清洗、刷洗、冲洗和甩干操作,清洗效果好,能够有效降低CMP后清洗工艺过程中对于Wplug的氧化及电化学腐蚀,避免造成更严重的钨塞的碟形凹陷(W recess)缺陷,还能够优化晶圆表面Zeta电势,降低晶圆在CMP后被再次沾污的风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 机械 平坦 清洗 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钨化学机械平坦化的后清洗方法,其特征在于,包括如下步骤:a.将钨化学机械平坦化后的晶圆在清洗槽内采用清洗液进行清洗;b.将步骤a所得晶圆在第一刷洗槽内依次分别采用第一刷洗液和第二刷洗液进行刷洗;c.将步骤b所得晶圆在第二刷洗槽内采用第三刷洗液进行刷洗;d.将步骤c所得晶圆在甩干槽内依次分别采用第一冲洗液和第二冲洗液进行冲洗,甩干;所述清洗槽包括兆声波清洗槽,所述清洗槽与气体鼓泡溢流循环系统相连;所述气体鼓泡溢流循环系统的气体流量为3000‑8000mL/min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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