[发明专利]一种双面PERC晶硅太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201710810869.6 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN107644923A | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 方结彬;林纲正;赖俊文;秦崇德;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种双面PERC太阳能电池的制备方法,包括以下步骤(1)在硅片正面和背面形成绒面;(2)在所述硅片正面进行扩散;(3)去除硅片正面磷硅玻璃;(4)采用单面离心刻蚀设备对硅片背面和侧面进行刻蚀;(5)对硅片进行退火;(6)在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜;(7)在硅片正面沉积氮化硅膜;(8)在所述硅片背面印刷背银主栅电极;(9)在所述硅片背面印刷铝栅线;(10)在所述硅片正面印刷正电极浆料;(11)对硅片进行高温烧结,形成背银电极和正银电极;(12)对电池进行抗LID退火。采用本发明,可以提升背面刻蚀的均匀性,从而提升双面PERC电池的背面膜色均匀性,提升产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 perc 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种双面PERC太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在硅片正面和背面形成绒面,所述硅片为P型硅;(2)在所述硅片正面进行扩散,形成N型发射极;(3)去除扩散过程形成的正面磷硅玻璃;(4)采用单面离心刻蚀设备对硅片背面和侧面进行刻蚀;(5)对硅片进行退火;(6)在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜;(7)在硅片正面沉积氮化硅膜;(8)在所述硅片背面采用丝网印刷或喷墨方式印刷背银主栅电极;(9)在所述硅片背面采用丝网印刷或喷墨方式印刷铝栅线;(10)在所述硅片正面印刷正电极浆料;(11)对硅片进行高温烧结,形成背银电极和正银电极;(12)对电池进行抗LID退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的