[发明专利]薄膜太阳能电池片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710806075.2 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107611189A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 沙嫣;沙晓林 | 申请（专利权）人： | 南通强生光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0256 | 分类号： | H01L31/0256;H01L31/0445;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 226400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜太阳能电池片的制备方法，包括以下步骤在ITO导电玻璃电片上用红激光刻线，制造子电池；在刻线后的ITO导电玻璃电片上制备PIN电池膜层；在PIN电池膜层上化学气相法沉积石墨烯膜层；在石墨烯膜层上进行第二次刻线；在刻线后的石墨烯膜层上依次沉积铝、铜镍膜；然后在铜镍膜层上粘覆EVA保护膜；采用激光打标，清除打标区域的EVA保护膜，并在打标区域加锡引出正负极焊点，经切割和测试，即得。本发明制备的薄膜太阳能电池片中利用石墨烯代替目前常用的ZnO层，具有透光率和反射率高的优点，且安全无污染。且相比于目前的非晶薄膜太阳能电池片，转换效率提高到8～9％。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、在ITO导电玻璃电片上用红激光刻线，制造子电池；B、在刻线后的ITO导电玻璃电片上制备PIN电池膜层；C、在PIN电池膜层上化学气相法沉积石墨烯膜层；D、在石墨烯膜层上进行第二次刻线；E、在刻线后的石墨烯膜层上依次沉积铝、铜镍膜；F、然后在铜镍膜层上粘覆EVA保护膜；G、采用激光打标，清除打标区域的EVA保护膜，并在打标区域加锡引出正负极焊点，经切割和测试，即得所述薄膜太阳能电池片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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