[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710803403.3 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN109473483B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 邱建维;林鑫成;林永豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/207;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;郭晓宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包含设置于半导体基底上的第一氮化镓层，其中第一氮化镓层具有第一导电类型，设置于第一氮化镓层上的第二氮化镓层，其中第二氮化镓层具有第一导电类型，且第一氮化镓层的掺质浓度高于第二氮化镓层的掺质浓度，设置于第二氮化镓层上的阳极电极，设置于第一氮化镓层上且直接接触第一氮化镓层的阴极电极，以及设置于第一氮化镓层上且直接接触第一氮化镓层的绝缘区，其中绝缘区位于阴极电极与第二氮化镓层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一第一氮化镓层，设置于一半导体基底上，其中该第一氮化镓层具有一第一导电类型；一第二氮化镓层，设置于该第一氮化镓层上，其中该第二氮化镓层具有该第一导电类型，且该第一氮化镓层的掺质浓度高于该第二氮化镓层的掺质浓度；一阳极电极，设置于该第二氮化镓层上；一阴极电极，设置于该第一氮化镓层上且直接接触该第一氮化镓层；以及一绝缘区，设置于该第一氮化镓层上且直接接触该第一氮化镓层，其中该绝缘区位于该阴极电极与该第二氮化镓层之间。
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