[发明专利]半导体装置和其制造方法以及电力变换系统有效
| 申请号： | 201710803363.2 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107871777B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 若木政利;新井大夏;森睦宏;古川智康 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 陈冠钦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体装置和其制造方法以及电力变换系统。【课题】实现了便宜但能抑制振荡现象的半导体装置。【解决手段】设置形成于硅半导体基板(100)的阳极电极(106)和阴极电极(107)、与阳极电极邻接形成的p型层(102，103)、与阴极电极邻接形成、使V族元素扩散而成的n型层(104)、形成于p型层与n型层之间的n |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 电力 变换 系统 | ||
【主权项】：
半导体装置，其特征在于，具有形成于硅半导体基板的一个面的阳极电极、形成于所述硅半导体基板的另一面的阴极电极、与所述阳极电极邻接形成的p型层、与所述阴极电极邻接形成、使V族元素扩散而成的n型层、形成于所述p型层与所述n型层之间的n－层、和形成于所述n－层与所述n型层之间、含有氧的n缓冲层，从所述阴极电极的所述n型层侧的面向着所述阳极电极的至少30μm的宽度的区域内的氧浓度为1×1017cm‑3以上，并且与所述p型层相接的部位处的所述n－层的氧浓度小于3×1017cm‑3。
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