[发明专利]一种超宽带单片微波集成低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种超宽带单片微波集成低噪声放大器，实现了超宽带和超低噪声。该超宽带单片微波集成低噪声放大器包括首级放大单元(1)和次级放大单元(2)两部分。本发明为全片上单片微波集成电路，放大管采用增强型场效应晶体管。电路结构上采用多级反馈结构。反馈电阻既充当交流负反馈，实现输入输出匹配，构成噪声抵消结构；又作为DC分压电阻，为放大管提供DC偏置和漏端电源。此外，在放大器的接地上使用了背孔接地，极大降低了接地电感效应。并使用无片上电感设计，节省了芯片面积。本发明结构简单，易集成，占用芯片面积小。

主权项

一种超宽带单片微波集成低噪声放大器，其特征在于：包括首级放大单元(1)和次级放大单元(2)，其中：首级放大单元(1)由增强型FET放大管NM1、反馈电阻RF1、RF2、输入隔直电容Cin和接地背孔Backvia1、Backvia2构成，输入信号通过Cin交流耦合输入NM1的栅端，RF1连接NM1的栅端与Backvia1，RF2跨接在NM1的栅端和漏端之间，由于米勒效应，会在NM1的栅端与电源地之间形成一个米勒电阻，米勒电阻与RF1并联，实现输入匹配，NM1的源端与背孔Backvia2相连，Backvia的作用是与基板接地，避免了使用Bonding线接地而带来的电感效应；次级放大单元(2)用增强型FET放大管NM2、反馈电阻RF3、负载电阻RD1、源端电阻RS1、电容CS1并联负反馈电路、输出隔直电容Cout和片外高频扼流电感RFchock构成，NM1的漏端和NM2的栅端直接相连，NM1的漏端还通过RF2与NM2的漏端相连，RF2构成了NM2的反馈电阻，并为NM1提供负载和漏端电源，NM2的源端通过并联的CS1和RS1与Backvia3相连，CS1与RS1形成源端负反馈，且反馈量随输入信号频率增加而减小，从而对放大器的高频特性进行补偿，NM2的漏端经过负载RD1，通过片外高频扼流圈电感RFchock与电源VDD相连，输出信号通过输出隔直电容Cout由NM2的漏端引出。