[发明专利]基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法

摘要

本发明属于半导体晶体管技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法。本发明方法包括在轻掺杂的衬底上转移一层二维材料，然后再转移一层二维材料堆叠在上面。由于传统双极性晶体管的结构，材料以及制备方法的限制，使得其无法在放大倍数以及小型化中取得重大突破。本发明由于采用二维材料堆叠的方法，使得形成基区的时候，不用采用离子注入的方法，从而可以很好的控制基区厚度在1nm左右，使得发射区注入的载流子能够很快的移动到集电节附近，在反偏电压的作用下，移动到集电区，从而极大的增高放大倍数。

主权项

一种基于二维材料双极性晶体管的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在衬底上转移第一层二维材料MoS2薄膜，作为基区材料；MoS2薄膜厚度为1‑15nm；（2）在转移了一层二维材料MoS2薄膜的样品左右两侧各淀积绝缘层；（3）在淀积了绝缘层的样品上转移第二层二维材料GaTe薄膜，该GaTe薄膜覆盖一侧绝缘层和第一层二维材料薄膜之上，GaTe薄膜作为发射区，厚度在5nm以上；（4）在转移了第二层二维材料薄膜的样品上形成一定图形的金属电极，发射极电极覆盖部分GaTe薄膜和绝缘层，不与第一层二维材料薄膜和衬底接触。