[发明专利]一种嵌入无沟道型LDPMOS的双向可控硅静电防护器件

摘要

本发明公开了一种嵌入无沟道型LDPMOS的双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；形成于P型衬底上的第一N型深阱和第二N型深阱；设置于P型衬底上的P阱；位于第一N型深阱、第二N型深阱和P阱的八个掺杂区第一N+注入区、第一P+注入区、第一Poly注入层、第二P+注入区，第三P+注入区、第二Poly注入层、第四P+注入区、第二N+注入区，第二P+注入区横跨第一N型深阱和P阱，第一Poly注入层跨接在第一P+注入区上但是没有跨接在第二P+注入区上；第三P+注入区横跨第二N型深阱和P阱，第二Poly注入层跨接在第四P+注入区上但是没有跨接在第三P+注入区上。本发明通过嵌入无沟道型LDPMOS可在降低器件触发电压的同时增强器件泄放静电的能力，且具有双向泄放静电的能力。

主权项

一种嵌入无沟道型LDPMOS的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括：P型半导体衬底；形成于P型衬底内的第一N型深阱，P阱，第二N型深阱；第一N型深阱内从左到右依次有第一N+注入区、第一P+注入区、第一Poly注入层、第二P+注入区，第一Poly注入层跨接在第一P+区和第二P+区之间，第一Poly注入层跨接在第一P+注入区上但是没有跨接在第二P+注入区上，第二P+注入区横跨第一型N深阱和第一P阱；第二N型深阱内从左到右依次有第三P+注入区、第二Poly注入层、第四P+注入区，第二N+注入，第二Poly注入层跨接在第三P+区和第四P+区之间，第二Poly注入层跨接在第四P+注入区上但是没有跨接在第三P+注入区上，第三P+注入区横跨第一P阱和第二N型深阱；所述第一N+注入区、第一P+注入区和第一Poly注入层接阴极；所述第二Poly注入层、第四P+注入区和第二N+注入区接阳极。