[发明专利]一种基于刻蚀辅助生长的三维金属钯纳米片快速制备方法

摘要

本发明公开一种基于刻蚀辅助生长的三维堆积金属钯纳米片快速制备方法，包括如下步骤：(1)将钯前驱体溶解于溶剂中；(2)向步骤(1)中加入氧化刻蚀剂，混合均匀；(3)向步骤(2)中通入还原性气体或试剂，直到有沉淀析出为止，离心、洗涤得到产物三维堆积金属钯纳米片。本发明基于刻蚀辅助生长，通过刻蚀剂的刻蚀效应和还原剂还原再生长过程，可以快速合成三维堆积金属钯纳米片，合成时间为3～60分钟，合成的三维堆积金属钯纳米片浓度为0.1～100mg/mL，其中钯纳米片基元的厚度为1～5nm。本发明所制备三维金属钯纳米片材料在电催化甲酸氧化反应中表现出优异的活性。

主权项

1.一种基于刻蚀辅助生长的三维堆积金属钯纳米片快速制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将钯前驱体溶解于溶剂中；所述溶剂为水；(2)向步骤(1)中加入氧化刻蚀剂，混合均匀；(3)向步骤(2)中通入还原性气体，直到有沉淀析出为止，离心、洗涤得到产物三维堆积金属钯纳米片；步骤(2)中使用的氧化刻蚀剂能快速将还原出来的结构不规则的钯纳米颗粒重新刻蚀成离子态；再经由步骤(3)中还原性气体还原回到原子态并形成片状结构；步骤(1)中在溶剂中加入钯前驱体：0.1～100mg/mL；步骤(2)中加入刻蚀剂：0.01～100mg/mL；步骤(3)中所述还原性气体为一氧化碳；步骤(3)中将一氧化碳气体通入溶液中，通入速率为0.01～10L/min；整个三维堆积金属钯纳米片快速制备过程，总时间为3～60分钟；合成的三维堆积金属钯纳米片浓度为0.1～10mg/mL。