[发明专利]可调谐激光器及其制备方法

摘要

可调谐激光器及其制备方法，可调谐激光器包括位于同一衬底上、等高且依次贴合的增益区、相位区和光栅区，其中：增益区，自下而上依次包括：下波导层、有源层及上波导层，有源层为多量子阱结构，该多量子阱结构包括交替叠置的阱层和垒层，阱层和垒层的主体材料均为InGaAlAs四元化合物；下波导层、有源区及上波导层的靠近相位区的侧面腐蚀形成为斜面；相位区和光栅区，均包括无源层，光栅区的无源层形成有光栅结构；相位区靠近所述斜面的侧面与斜面相吻合，以使增益区和相位区相贴合。增益区的侧壁腐蚀形成有斜面，能够有效防止相位区和光栅区在对接生长无源层材料时在对接界面形成的材料堆积，从而减小光的损耗和界面处的光反射。

主权项

1.一种可调谐激光器，包括位于同一衬底上、等高且依次贴合的增益区、相位区和光栅区，其中：/n增益区，自下而上依次包括：下波导层、有源层及上波导层，所述有源层为多量子阱结构，该多量子阱结构包括交替叠置的阱层和垒层，所述阱层和垒层的主体材料均为InGaAlAs四元化合物；所述下波导层、有源区及上波导层的靠近所述相位区的侧面腐蚀形成为斜面；/n相位区和光栅区，均包括无源层，所述光栅区的无源层形成有光栅结构；所述相位区靠近所述斜面的侧面与所述斜面相吻合，以使所述增益区和相位区相贴合，/n所述激光器通过下述方式制备：/n步骤1、在衬底上依次生长下波导层、多量子阱结构的有源层及上波导层，其中，所述有源层的主体材料为InGaAlAs四元化合物；/n步骤2、去掉部分区域的下波导层、多量子阱结构的有源区及上波导层，露出衬底，以使步骤1中结构分为增益区和无源区两部分；/n步骤3、将所述增益区靠近无源区的侧壁腐蚀形成斜面；/n步骤4、利用对接生长技术在无源区生长InGaAsP/InGaAlAs四元化合物材料，以与增益区的上波导层平齐；并在远离所述增益区的部分无源区制备光栅结构，以使所述无源区分为相位区和光栅区两部分，/n其中，步骤1中，下波导层的生长温度为680℃、生长压力为100mbar，步骤4中对接生长时的生长温度为630℃，生长压力为100mbar；/n其中，在所述步骤3中，还包括以下步骤：腐蚀形成斜面时，采用H