[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括步骤S1提供一表面设有导电互连结构的衬底，所述导电互连结构包括第一导电层，所述第一导电层包括若干分立设置的线路结构；S2在所述线路结构暴露的表面形成绝缘被覆层，所述绝缘被覆层在所述线路结构之间形成有沟槽；S3采用高密度等离子体化学气相沉积法在所述绝缘被覆层上形成绝缘气封层，所述绝缘气封层封闭所述沟槽的开口，以形成在所述线路结构之间的线路间绝缘气囊。本发明通过调节高密度等离子体化学沉积过程中的工艺条件，可以方便控制线路间绝缘气囊的位置及尺寸，在不影响导电结构隔离效果的前提下，有效改善器件的阻容延迟、降低导电线路之间的寄生电容、提高电子传输速率。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一表面设有导电互连结构的衬底，所述导电互连结构包括第一导电层，所述第一导电层包括若干分立设置的线路结构；在所述线路结构暴露的表面形成绝缘被覆层，所述绝缘被覆层在所述线路结构之间形成有沟槽；采用高密度等离子体化学气相沉积法在所述绝缘被覆层上形成绝缘气封层，其中，所述绝缘气封层封闭所述沟槽的开口，以形成在所述线路结构之间的线路间绝缘气囊，所述线路间绝缘气囊在所述绝缘被覆层的限制下不显露所述线路结构，并且所述线路间绝缘气囊在所述绝缘气封层的限制下具有高度不超过所述线路结构的上表面。