[发明专利]一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法有效
| 申请号： | 201710781879.1 | 申请日： | 2017-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN107731893B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 61215 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带浮空区 通电 沟槽 碳化硅 igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件，包括：/n第二导电类型多晶硅栅极（6）；/n设置在第二导电类型多晶硅栅极（6）上方的第一导电类型多晶硅栅极（5）；/n包裹第二导电类型多晶硅栅极（6）的槽栅介质（7）；/n设置在槽栅介质（7）两侧的对称结构的源极（1）；/n设置在源极（1）底部的第一导电类型源接触区（2）、第二导电类型基区（3）和重掺杂第二导电类型沟槽区（4），重掺杂第二导电类型沟槽区（4）的厚度大于第一导电类型源接触区（2）和第二导电类型基区（3）的厚度之和；/n自上而下依次设置在槽栅介质（7）下方的第一导电类型漂移区（10）、第二导电类型衬底（11）以及漏极（12）；/n其特征在于，/n所述第一导电类型漂移区（10）设置有第二导电类型栅氧保护区（9），第二导电类型栅氧保护区（9）位于槽栅介质（7）正下方且与槽栅介质（7）不接触，所述第二导电类型栅氧保护区（9）两侧设有第二导电类型浮空区（8），所述第二导电类型浮空区（8）位于重掺杂第二导电类型沟槽区（4）正下方且与重掺杂第二导电类型沟槽区（4）不接触。/n
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