[发明专利]一种GaN热电薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710777997.5 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107611014A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 戴晓宸 | 申请（专利权）人： | 苏州云舒新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L35/22 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 215104 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN热电薄膜材料的制备方法，该工艺利用图形化蓝宝石衬底经H2净化、低温缓冲生长、升温横向生长、加压退火得到GaN薄膜材料。制备而成的GaN热电薄膜材料，其整体均匀性好、击穿电压高、使用寿命长，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 热电 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN热电薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将图形化蓝宝石衬底在900‑1150℃的H2氛围下高温净化10min；（2）在步骤（1）净化的图形化蓝宝石衬底上生长GaN薄膜，分立的各区域低温为300‑500℃生长缓冲层;（3）然后升温至1300℃‑1400℃，使所述分立缓冲层横向生长连成GaN一体层，然后将所述GaN一体层在H2、NH3气氛下退火至65℃，最后生长GaN薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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