[发明专利]一种ZnS太阳能电池薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710777992.2 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107611013A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 戴晓宸 | 申请（专利权）人： | 苏州云舒新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0296;H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 215104 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnS太阳能电池薄膜材料的制备方法，该工艺利用锌离子溶液及硒粉溶液作为薄膜前驱体，在粘度调节剂的作用下将薄膜母液涂布在衬底上，然后进行真空硫化作用，退火稳固得到ZnS薄膜材料。制备而成的ZnS太阳能电池薄膜材料，其制作工艺简单、薄膜材料电导率高、电容量大，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zns 太阳能电池 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnS太阳能电池薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将锌硝酸盐或氯化盐溶于醇类，再将高纯硒粉按0.08M的浓度溶于胺类，将上述的两份溶液按照体积比5:2混溶在一起，并添加粘度调节剂，室温充分搅拌5‑10小时，形成稳定的前驱体溶液，通过添加或减少醇类或胺类的用量，将前驱体溶液中Zn离子的浓度控制在0.8‑1M；（2）将步骤（1）前驱体溶液加入涂布混匀仪，将薄膜母液在衬底上形成薄膜前体;（3）将上述步骤（2）的薄膜前体置于真空环境中喷洒硫化物进行硫化作用；（4）将步骤（3）的硫化薄膜进行退火，即得成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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