[发明专利]一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺在审
| 申请号： | 201710775458.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107611011A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 周源;郭艳华;李明宇;张欣慰 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,张靖琳 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺，包括在半导体衬底彼此相对的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的周边侧壁上形成第一掩膜；在所述第一掩膜表面形成第二掩膜；以及去除位于所述第一表面上方的所述第二掩膜。根据该工艺得到的双层掩膜可有效避免半导体衬底的边缘和背面被掺杂，从而降低了外延层制作的难度，提高了外延层的质量，本领域技术人员可以在制程的任意环节制作该临时背封层，并可以在制程中通过调整工艺，灵活的选择去除该临时背封层的时机。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 掺杂 双层 工艺 | ||
【主权项】：
一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺，其特征在于，包括：在半导体衬底彼此相对的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的周边侧壁上形成第一掩膜；在所述第一掩膜表面形成第二掩膜；以及去除位于所述第一表面上方的所述第二掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
