[发明专利]一种三维计算机闪存设备及其制作方法及缓冲层制作方法

摘要

本发明公开了一种三维计算机闪存设备及其制作方法及缓冲层制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底表面形成堆叠结构，堆叠结构具有多层氧化层以及多层氮化层，氧化层与氮化层交替排布；形成贯穿堆叠结构，且延伸至衬底表面内的第一沟道通孔；第一沟道通孔的宽度由底部至顶部逐渐增大；在第一沟道通孔暴露的衬底的表面形成通道结构；在第一沟道通孔侧壁以及通道结构表面形成功能层；在功能层的表面形成缓冲层，缓冲层的底部厚度最小，其侧壁的厚度由底部至顶部逐渐增大；形成贯穿缓冲层的底部以及功能层的底部的第二沟道通孔，露出部分通道结构。本发明技术方案可以完全避免功能层受到刻蚀损伤，提高了器件的可靠性。

主权项

1.一种三维计算机闪存设备的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构具有多层氧化层以及多层氮化层，所述氧化层与所述氮化层交替排布；形成贯穿所述堆叠结构，且延伸至所述衬底表面内的第一沟道通孔；所述第一沟道通孔的宽度由底部至顶部逐渐增大；在所述第一沟道通孔暴露的所述衬底的表面形成通道结构；在所述第一沟道通孔侧壁以及所述通道结构表面形成功能层；在所述功能层的表面形成缓冲层，所述缓冲层的底部厚度最小，其侧壁的厚度由底部至顶部逐渐增大；形成贯穿所述缓冲层的底部以及所述功能层的底部的第二沟道通孔，露出部分所述通道结构。