[发明专利]3D NAND存储器阶梯结构关键尺寸的量测方法有效
| 申请号： | 201710772343.3 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107579015B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈子琪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种3D NAND存储器阶梯结构关键尺寸的量测方法，该量测方法包括：在存储单元的非字线区设置关键尺寸量测区；在字线区形成多级阶梯结构，同时在所述量测区形成多个周期性排布的独立阶梯结构，其中，形成在所述量测区内的独立阶梯结构与形成在字线区内的阶梯结构具有相同的关键尺寸；采用光学关键尺寸测量方法对所述量测区内的周期性分布的阶梯结构进行关键尺寸测量，得到的测量结果用于表征字线区阶梯结构的关键尺寸。该测量方法能够实现对3D NAND存储器阶梯结构关键尺寸的快速无损量测。因而该方法可以用于3D NAND存储器的字线区阶梯形貌刻蚀工艺的在线监测。 | ||
| 搜索关键词： | dnand 存储器 阶梯 结构 关键 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器阶梯结构关键尺寸的量测方法，其特征在于，所述量测方法包括：在存储单元的非字线区设置关键尺寸量测区；所述关键尺寸量测区的薄膜组成结构与字线区的薄膜组成结构相同；在字线区形成多级阶梯结构，同时在所述量测区形成多个周期性排布的独立阶梯结构，其中，形成在所述量测区内的独立阶梯结构与形成在字线区内的阶梯结构具有相同的关键尺寸，且形成在所述量测区内的独立阶梯结构的阶梯数目小于形成在字线区内的阶梯结构的阶梯数目；采用光学关键尺寸测量方法对所述量测区内的周期性分布的阶梯结构进行关键尺寸测量，得到的测量结果用于表征字线区阶梯结构的关键尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
