[发明专利]一种带有图形化的电流扩展层的倒装芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201710764034.1 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109427934A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 马后永 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之;周乃鑫 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种带有图形化的电流扩展层的倒装芯片及其制造方法，在衬底上生长外延层；在外延层上通过刻蚀划分出P区和N区；在P区制成电流扩展层，并通过刻蚀在所述电流扩展层上开孔制成图形化的孔状结构，其中，开孔深度小于所述电流扩展层的膜层厚度；在带孔状结构的电流扩展层上制成反射层；对应P区和N区依次制成钝化层、保护层、金属电极；对衬底减薄，切割形成各个独立的芯片。本发明可提高反射层与电流扩展层的欧姆接触面积，又不减小电流扩展层与P‑GaN层的接触面积，避免反射层与P‑GaN层欧姆接触不良问题，提高了电流注入效率，有效减少电流扩展层对光的吸收并提高界面反射比例，并且由于接触粗化提高了倒装芯片各膜层结构的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 电流扩展层 倒装芯片 反射层 图形化 欧姆接触 外延层 刻蚀 电流注入效率 带孔状结构 不良问题 衬底减薄 界面反射 金属电极 孔状结构 膜层结构 有效减少 保护层 钝化层 上开孔 粘附性 衬底 粗化 减小 开孔 膜层 切割 制造 芯片 生长 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种带有图形化的电流扩展层的倒装芯片的制造方法，其特征在于，包含以下过程：在衬底上生长外延层；在外延层上通过刻蚀划分出P区和N区；在P区制成电流扩展层，并通过刻蚀在所述电流扩展层上开孔制成图形化的孔状结构，其中，开孔深度小于所述电流扩展层的膜层厚度；在带孔状结构的电流扩展层上制成反射层；对应P区和N区依次制成钝化层、保护层、金属电极；对衬底减薄，并切割形成各个独立的芯片。
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