[发明专利]一种载盘的清洁处理方法在审
| 申请号： | 201710764033.7 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109427542A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 马后永 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B9/08;B08B7/04 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之;周乃鑫 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种载盘的清洁处理方法，包含以下步骤：S102、将待处理的载盘表面进行喷砂处理；S104、将完成喷砂处理的待处理的载盘进行研磨处理；S106、将完成研磨处理的待处理的载盘进行吹扫处理；S108、将完成吹扫处理的待处理的载盘放置到一预设温度环境中进行烘烤处理；S110、将完成烘烤处理的待处理的载盘从高温真空炉中取出，完成对载盘的清洁。本发明能够有效去除载盘表面的覆盖层，大大降低异常覆盖层载盘的报废几率，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 载盘 烘烤处理 喷砂处理 清洁处理 研磨处理 覆盖层 吹扫 节约生产成本 高温真空炉 温度环境 去除 预设 报废 取出 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种载盘的清洁处理方法，其特征在于，包含以下步骤：S102、将待处理的载盘表面进行喷砂处理；S104、将完成喷砂处理的待处理的载盘进行研磨处理；S106、将完成研磨处理的待处理的载盘进行吹扫处理；S108、将完成吹扫处理的待处理的载盘放置到一预设温度环境中进行烘烤处理；S110、将完成烘烤处理的待处理的载盘从高温真空炉中取出，完成对载盘的清洁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
