[发明专利]一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺

摘要

本发明涉及硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜；步骤3：电池片补渡准备：抽测电池片的平均厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：步骤5：将补镀完的电池片进行全捡并正常下传到下一道工序；采用该工艺补镀后的电池片边缘厚度与中间均匀一致，外形美观，颜色正常。

主权项

一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于硅片花篮中准备补镀；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为9‑11min，射频功率为7000‑8000W，占空比为0.98‑0.12，压力为1400‑1600mtorr，SiH4气体流量控制在0.8‑1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6‑8.0L/min；步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的硅片花篮中抽取3片电池片进行厚度检测，得出该硅片花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为7000‑8000W，占空比为0.98‑0.12，压力为1400‑1600mtorr ，SiH4气体流量控制在0.8‑1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6‑8.0L/min；步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。