[发明专利]一种提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法

摘要

本发明提供了一种提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，所述方法在衬底上底部选择栅极(BSG)的边缘和中心区域的底部选择栅极(BSG)下部氧化物的基础上沉积氮化硅作为保护层，避免了在刻蚀堆叠结构形成核心区域台阶结构时的高温和富氢(H)环境下将氮化硅(SIN)牺牲层的边缘区域氧化成氮氧化硅(SION)，从而使得后续湿法刻蚀氧化底部选择栅极(BSG)氮化硅(SIN)牺牲层的边缘和中心区域的厚度均一性更好，进而使得后续底部选择栅极(BSG)的厚度均一性更好，从而提高底部选择栅极(BSG)的击穿电压(BV)，防止击穿失效，从而提高了3D NAND闪存的性能。

主权项

1.一种提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成底部选择栅极下部氧化物层；沉积第一层氮化硅，并沉积第一层氧化物层；在核心区域进行掩膜覆盖并去除衬底上的第一层氮化硅和第一层氧化物层并停止在衬底表面；对掩膜覆盖区域底部的第一层氮化硅进行回刻；沉积氮化硅保护层；在核心区域第三层台阶区域外涂覆光刻胶掩膜；刻蚀，并停止在核心区域的所述第一层氧化物层；去除所述涂覆光刻胶掩膜，并沉积氮化物‑氧化物堆叠结构；刻蚀所述堆叠结构形成核心区域台阶结构。