[发明专利]InGaAs材料MSM结构光电混频探测器在审
| 申请号： | 201710751690.8 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107479048A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 孙剑峰;李献杰;郜键;王骐 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01S7/481 | 分类号： | G01S7/481 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人： | 毕雅凤 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | InGaAs材料MSM结构光电混频探测器，涉及非扫描激光四维成像雷达领域，为了满足FM/CW体制的InGaAs材料MSM结构探测器的需求。本发明所包括的像元采用64×64阵列式排布，每个像元包括衬底、缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极；衬底上依次设置缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极，吸收层的材料为InGaAs；每个像元的长和宽均为60μm。本发明适用于光电混频探测。 | ||
| 搜索关键词： | ingaas 材料 msm 结构 光电 混频 探测器 | ||
【主权项】：
InGaAs材料MSM结构光电混频探测器，其特征在于，所包括的像元采用64×64阵列式排布，每个像元包括衬底、缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极；衬底上依次设置缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极，吸收层的材料为InGaAs；每个像元的长和宽均为60μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710751690.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种物联网雷达识别传感器
- 下一篇：验证盲点监测系统的监测精度的装置及方法
