[发明专利]半导体结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710751228.8 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN109427812A 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 吴冠纬;刘注雍;张耀文;杨怡箴 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L27/11568
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种半导体结构包括一基板、一叠层、一孔洞、和一有源结构。叠层设置在基板上。叠层由彼此交替的多个导电层和多个绝缘层构成。所述导电层包括一第i层导电层和设置在第i层导电层上方的一第j层导电层,第i层导电层具有厚度ti,第j层导电层具有厚度tj,tj大于ti。孔洞穿过叠层。孔洞具有分别对应第i层导电层和第j层导电层的直径Di和直径Dj,Dj大于Di。有源结构设置在孔洞中。有源结构包括一通道层。该通道层沿着孔洞的一侧壁设置,并与叠层的导电层隔离。
搜索关键词: 导电层 孔洞 叠层 源结构 半导体结构 通道层 基板 绝缘层 交替的 穿过 隔离 制造
【主权项】:
1.一种半导体结构,包括:一基板;一叠层,设置在该基板上,该叠层由彼此交替的多个导电层和多个绝缘层构成,所述导电层包括一第i层导电层和设置在该第i层导电层上方的一第j层导电层,该第i层导电层具有厚度ti,该第j层导电层具有厚度tj,tj大于ti;一孔洞,穿过该叠层,该孔洞具有分别对应该第i层导电层和该第j层导电层的直径Di和直径Dj,Dj大于Di;以及一有源结构,设置在该孔洞中,该有源结构包括:一通道层,沿着该孔洞的一侧壁设置,并与该叠层的所述导电层隔离。
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