[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
申请号: | 201710751228.8 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN109427812A | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 吴冠纬;刘注雍;张耀文;杨怡箴 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/11568 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种半导体结构包括一基板、一叠层、一孔洞、和一有源结构。叠层设置在基板上。叠层由彼此交替的多个导电层和多个绝缘层构成。所述导电层包括一第i层导电层和设置在第i层导电层上方的一第j层导电层,第i层导电层具有厚度ti,第j层导电层具有厚度tj,tj大于ti。孔洞穿过叠层。孔洞具有分别对应第i层导电层和第j层导电层的直径Di和直径Dj,Dj大于Di。有源结构设置在孔洞中。有源结构包括一通道层。该通道层沿着孔洞的一侧壁设置,并与叠层的导电层隔离。 | ||
搜索关键词: | 导电层 孔洞 叠层 源结构 半导体结构 通道层 基板 绝缘层 交替的 穿过 隔离 制造 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构,包括:一基板;一叠层,设置在该基板上,该叠层由彼此交替的多个导电层和多个绝缘层构成,所述导电层包括一第i层导电层和设置在该第i层导电层上方的一第j层导电层,该第i层导电层具有厚度ti,该第j层导电层具有厚度tj,tj大于ti;一孔洞,穿过该叠层,该孔洞具有分别对应该第i层导电层和该第j层导电层的直径Di和直径Dj,Dj大于Di;以及一有源结构,设置在该孔洞中,该有源结构包括:一通道层,沿着该孔洞的一侧壁设置,并与该叠层的所述导电层隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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