[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201710743438.2 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN107546287B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 吴真龙;姜伟;李俊承;陈凯轩;张双翔 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 225101 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请提供一种太阳能电池及其制作方法,所述太阳能电池包括依次层叠设置且晶格匹配的第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结和第三子电池,所述第二子电池中包括多量子阱结构;其中,所述多量子阱结构包括交叉层叠的多层势阱层和多层势垒层,以及位于所述势阱层和所述势垒层之间的缓冲过渡层。所述缓冲过渡层能够更为精确的平衡应力,减少缺陷,并且可以改善多量子阱结构中势阱层和势垒层之间的界面处出现原子互扩散的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:依次层叠设置且晶格匹配的第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结和第三子电池,所述第二子电池中包括多量子阱结构;其中,所述多量子阱结构包括交叉层叠的多层势阱层和多层势垒层,以及位于所述势阱层和所述势垒层之间的缓冲过渡层;其中,所述第一子电池为Ge底电池,所述第二子电池为包含多量子阱结构的InGaAs中电池,所述第三子电池为GaInP或AlGaInP顶电池;所述多量子阱结构中势阱层的材质为InxGa1‑xAs;势垒层的材质为GaAs1‑yPy;其中,x的取值范围为0‑0.3,包括0.3;y的取值范围为0‑0.5,包括0.5;当所述势阱层材料为InxGa1‑xAs,且x<0.1时,所述缓冲过渡层的材质为GaAs;当所述势阱层材料为InxGa1‑xAs,且x≥0.1时,所述缓冲过渡层的材质为InzGaAs,其中,0<z<x。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的