[发明专利]低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器及操作方法

摘要

本发明公开一种低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器及操作方法，包括在一半导体基板上设置有至少一晶体管结构，晶体管结构具有第一导电闸极，并利用遮蔽部分区域的离子植入方式，去掉了常用的轻掺杂汲极(LDD)结构，在第一导电闸极两侧下方的半导体基板内形成有未掺杂区，可以增加晶体管或是基板与闸极间的电场，进而降低写入及抹除的电压差，并据此结构提出有元件的操作方法。本发明可以应用于单闸极晶体管结构。

主权项

1.一种低电压差的电子写入抹除式可复写只读存储器，其特征在于，包括：一半导体基板；至少一晶体管结构，所述晶体管结构形成于所述半导体基板上，所述晶体管结构包括有一第一介电层位于所述半导体基板表面，一第一导电闸极位于所述第一介电层上，二未掺杂区位于所述第一导电闸极的两侧下方的所述半导体基板内，以及至少二第一离子掺杂区位于所述第一导电闸极的所述两侧下方的所述半导体基板内且与所述未掺杂区隔开，分别作为源极和汲极；以及一电容结构，所述电容结构位于所述半导体基板表面且与至少一晶体管相隔离，所述电容结构包括一第二离子掺杂区位于所述半导体基板内，一第二介电层位于所述第二离子掺杂区表面，以及一第二导电闸极叠设于所述第二介电层上，所述第二导电闸极电性连接所述第一导电闸极，以作为单浮接闸极。