[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板；遮光层，形成于所述基板上；缓冲层，形成于所述遮光层上；半导体层，形成于所述缓冲层上；保护层，形成于所述半导体层上；绝缘层，形成于所述保护层上；层间介质层，形成于所述保护层上；所述基板上还设有源极层、漏极层和栅极层，所述源极层和所述漏极层形成于所述层间介质层上，并且所述源极层和所述漏极层分别连接在所述半导体层两端的导体化部位，所述绝缘层设在所述栅极层和所述半导体层之间，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述保护层设置，在半导体层上覆盖设置绝缘层，有效的确保需要导体化的半导体层区域不会裸露，在进行后续制程时能够有效降低对半导体层的导体化部分的阻抗影响。

主权项

一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；遮光层，形成于所述基板上；缓冲层，形成于所述遮光层上；半导体层，形成于所述缓冲层上；保护层，形成于所述半导体层上；绝缘层，形成于所述保护层上；层间介质层，形成于所述保护层上；其中，所述基板上还设有源极层、漏极层和栅极层，所述源极层和所述漏极层形成于所述层间介质层上，并且所述源极层和所述漏极层分别连接在所述半导体层两端的导体化部位，所述绝缘层设在所述栅极层和所述半导体层之间，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述保护层设置；所述保护层覆盖区域大于所述绝缘层覆盖区域；且所述保护层厚度小于所述绝缘层厚度。