[发明专利]一种无机氧化物量子点发光二极管在审
申请号: | 201710736849.9 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107611273A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 张芹;顾小兵;蒋杰;金肖;张青松 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330063 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明提供了一种无机氧化物量子点发光二极管及其制备方法。该无极氧化物量子点发光二极管包括相邻设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极,其中空穴传输层和电子传输层均由无机半导体材料组成,对于所述空穴传输层的无机半导体材料可以通过调控退火温度控制其中的氧离子空位数量,少量的氧离子空位有类似于N型掺杂的效果,可以大幅度提高空穴的注入和传输。本发明使得量子点发光二极管能够长期稳定工作,改善了器件中空穴和电子的注入和传输速率,尤其是空穴的注入效率,平衡了电子和空穴的数量,提高了量子点发光二极管的外量子效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 无机 氧化物 量子 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种无机氧化物量子点发光二极管,其特征在于,包括相邻设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极,其中空穴注入层和电子传输层均由无机半导体金属氧化物组成。
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