[发明专利]一种晶体硅太阳能电池表面微纳米结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池表面微纳米结构的制备方法，包括以下步骤(1)、将晶体硅原片放入质量百分比1‑5％HF的溶液中去除SiO2层，吹干待用；(2)将上述处理后的硅片放入含有金属离子、氧化剂和化学腐蚀剂的第一化学腐蚀溶液中，在硅片表面形成纳米结构绒面；(3)清洗；(4)将硅片放入第二化学腐蚀液中，进行微纳米结构的修正刻蚀；(5)清洗并烘干，得到晶体硅太阳能电池的绒面结构。具有下述有益效果1)简化制绒步骤，降低生产成本；2)避免了贵金属的浪费；3)省去用化学溶液/去离子水清洗硅片去除贵金属粒子的步骤，进一步降低了生产成本；4)本发明的制备方法简单易行，适合推广应用。

主权项

一种晶体硅太阳能电池表面微纳米结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤(1)、将晶体硅原片放入质量百分比1‑5％HF的溶液中去除SiO2层，清洗后再用去离子水清洗3～5次，再将硅片吹干待用；(2)将上述处理后的硅片放入含有金属离子、氧化剂和化学腐蚀剂的第一化学腐蚀溶液中，在硅片表面形成纳米结构绒面；所述氧化剂为HNO3，浓度为0.01～15mol/L；所述化学腐蚀剂为HF，浓度为1～20mol/L；反应时间为30～300秒；(3)将硅片在去离子水中清洗10～300s，清洗温度为5～90℃；(4)将硅片放入第二化学腐蚀液中，进行微纳米结构的修正刻蚀；所述步骤(4)中的第二化学腐蚀液为NaOH溶液、KOH溶液、四甲基氢氧化铵溶液、HNO3与HF的混合溶液中的任意一种；当所述第二化学腐蚀液为NaOH溶液时，其浓度为0.002～0.2mol/L，反应时间为10～500秒，反应温度为5～90℃；当所述第二化学腐蚀液为KOH溶液时，其浓度为0.002～0.2mol/L，反应时间为10～500秒，反应温度为5～90℃；当所述第二化学腐蚀液为四甲基氢氧化铵溶液时，其浓度为0.002～0.2mol/L，反应时间为10～500秒，反应温度为5～90℃；当所述第二化学腐蚀液为HNO3与HF的混合溶液时，HF与HNO3的浓度分别为0.01～1mol/L、1～10mol/L，反应时间为10～500秒，反应温度为5～50℃；(5)将上述硅片在去离子水中清洗并烘干，即可得到晶体硅太阳能电池的绒面结构。