[发明专利]一种多二维电子气沟道的GaNHEMT元胞结构及器件在审
| 申请号： | 201710733464.7 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107516667A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;倪炜江;黄兴;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多二维电子气沟道的GaN HEMT元胞结构及器件，所述元胞结构从下至上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、若干层由GaN层和AlGaN层构成的二维电子气沟道层；相邻的所述二维电子气沟道层之间设置有一层AlN插入隔离层；若干层二维电子气沟道层从下至上呈台阶状排列，每层二维电子气沟道层上均设置有源极、漏极和栅极。本申请的元胞结构采用多层二维电子气沟道层的结构，可以大幅提升GaN HEMT器件的单位面积电流密度，降低单位功率密度的成本。器件采用多层GaN/AlGaN二维结构形成多沟道，通过多个导电沟道实现比普通GaN单2DEG沟道HEMT器件更大的面电流密度，有助于实现大功率GaN HEMT器件的制作以及降低器件单位功率密度的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 电子 沟道 ganhemt 结构 器件 | ||
【主权项】：
一种多二维电子气沟道的GaN HEMT元胞结构，其特征在于，所述元胞结构从下至上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、若干层由GaN层和AlGaN层构成的二维电子气沟道层；相邻的所述二维电子气沟道层之间设置有一层AlN插入隔离层；若干层二维电子气沟道层从下至上呈台阶状排列，每层二维电子气沟道层上均设置有源极、漏极和栅极。
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