[发明专利]一种消除体效应中窄沟道效应影响的MOS器件结构有效
| 申请号： | 201710732709.4 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107611168B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种消除体效应中窄沟道效应影响的MOS器件结构。该MOS器件包括：衬底、源区、栅极、漏区以及沟道区，所述源区、漏区以及沟道区作为有源区；且有源区两侧分别分布STI区；所述有源区两侧的STI区上表面分别设置导体电极，所述导体电极上施加电荷平衡电压。本发明在不增加工艺步骤的基础上，通过器件设计，来消除高压MOS器件体效应中窄沟道效应的影响，减小窄沟道器件的体效应，从而缩小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 效应 沟道 影响 mos 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种消除体效应中窄沟道效应影响的MOS器件结构，包括：衬底、源区、栅极、漏区以及沟道区，所述源区、漏区以及沟道区作为有源区；且有源区两侧分别分布STI区；其特征在于，所述有源区两侧的STI区上表面分别设置导体电极，所述导体电极上施加电荷平衡电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710732709.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
